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克列茨kyoritsu共立數(shù)字絕緣高壓搖表兆歐表 ? 絕緣電阻測(cè)試最大可達(dá)1TΩ ? 短路電流可達(dá)1.5mA ? 測(cè)試電壓范圍為250V-5000V ? PI和DAR的診斷功能 ? 采用最新設(shè)計(jì)的鱷魚(yú)夾 ? 配備了堅(jiān)固的便攜箱 ? 濾波功能可減少噪音干擾而有利于穩(wěn)定測(cè)試 ? 可顯示條形圖的大顯示屏具有背光功能 ? 通電回路警告功能 ? 設(shè)計(jì)符合國(guó)際安全規(guī)格 IEC 61010-1 CAT IV 3

midi LOGGER GL220采用小型、可放心測(cè)定的全頻道絕緣輸入方式?？蛇M(jìn)行電壓/溫度/濕度/脈沖/邏輯的多元輸入。 根據(jù)客戶(hù)要求提供多種高速電壓測(cè)定，可測(cè)定范圍擴(kuò)展至10ms取樣（電壓范圍1ch輸入時(shí)）。 此外，內(nèi)置存儲(chǔ)器中搭載2GB大容量閃存，無(wú)需使用外部存儲(chǔ)媒體即可實(shí)現(xiàn)長(zhǎng)時(shí)間的數(shù)據(jù)収錄。 GL220提高了可對(duì)應(yīng)多樣化測(cè)量用途的功能性與操作性,從研究開(kāi)發(fā)到生產(chǎn)線(xiàn)現(xiàn)場(chǎng)，可1人1臺(tái)進(jìn)行使

&采用WINDOWS操作系統(tǒng)，操作更方便。 &智能化、數(shù)字化、全中文操作菜單、準(zhǔn)確測(cè)量、操作簡(jiǎn)便； 　&重量輕，手持設(shè)計(jì)，單人操作，全程自動(dòng)測(cè)量； &大容量存儲(chǔ)，歷史數(shù)據(jù)自動(dòng)匯集，隨時(shí)查詢(xún)； &測(cè)試夾（棒）可選，適應(yīng)各種電池檢測(cè) &4.3英寸LCD顯示，中文界面，觸屏操作，使用簡(jiǎn)便； &直流大電流測(cè)試，抗干擾，測(cè)試更準(zhǔn)確； &USB接口數(shù)據(jù)拷貝、INTERNET接口遠(yuǎn)程系統(tǒng)升級(jí)

SDY-5型雙電測(cè)四探針測(cè)試儀采用了四探針雙位組合測(cè)量技術(shù),利用電流探針、電壓探針的變換，進(jìn)行兩次電測(cè)量，能自動(dòng)消除樣品幾何尺寸、邊界效應(yīng)以及探針不等距和機(jī)械游移等因素對(duì)測(cè)量結(jié)果的影響，從而提高了測(cè)量結(jié)果的準(zhǔn)確度

RTS-5型雙電測(cè)四探針測(cè)試儀采用了四探針雙電測(cè)組合(亦稱(chēng)雙位組合)測(cè)量新技術(shù),將范德堡測(cè)量方法推廣應(yīng)用到直線(xiàn)四探針上,利用電流探針、電壓探針的變換，在計(jì)算機(jī)控制下進(jìn)行兩次電測(cè)量，能自動(dòng)消除樣品幾何尺寸、邊界效應(yīng)以及探針不等距和機(jī)械游移等因素對(duì)測(cè)量結(jié)果的影響。

RTS-9型雙電測(cè)四探針測(cè)試儀采用了四探針雙電測(cè)組合(亦稱(chēng)雙位組合)測(cè)量新技術(shù),將范德堡測(cè)量方法推廣應(yīng)用到直線(xiàn)四探針上,利用電流探針、電壓探針的變換，在計(jì)算機(jī)控制下進(jìn)行兩次電測(cè)量，能自動(dòng)消除樣品幾何尺寸、邊界效應(yīng)以及探針不等距和機(jī)械游移等因素對(duì)測(cè)量結(jié)果的影響。

RTS-3型手持式四探針測(cè)試儀是運(yùn)用四探針測(cè)量原理的多用途綜合測(cè)量設(shè)備。該儀器按照單晶硅物理測(cè)試方法國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)并參考美國(guó) A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn)而設(shè)計(jì)的，于測(cè)量硅晶塊、晶片電阻率及擴(kuò)散層、外延層、ITO導(dǎo)電箔膜、導(dǎo)電橡膠等材料方塊電阻的小型儀器。

RTS-2/RTS-2A型便攜式四探針測(cè)試儀是運(yùn)用四探針測(cè)量原理的多用途綜合測(cè)量設(shè)備。該儀器按照單晶硅物理測(cè)試方法國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)并參考美國(guó) A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn)而設(shè)計(jì)的，于測(cè)量硅晶塊、晶片電阻率及擴(kuò)散層、外延層、ITO導(dǎo)電箔膜、導(dǎo)電橡膠等材料方塊電阻的小型儀器。

SDY-4型四探針測(cè)試儀是根據(jù)單晶硅物理測(cè)試方法國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)并參考美國(guó)A.S.T.M標(biāo)準(zhǔn)設(shè)計(jì)的半導(dǎo)體材料電阻率及方塊電阻(薄層電阻)測(cè)試儀器.